Nuovo approccio per misurare i livelli di carbonio interstiziale nei wafer di silicio utilizzando la spettroscopia infrarossa

LOCARNO, MATTEO
2024/2025

2024
A novel approach to measuring interstitial carbon levels in silicon wafers utilising infrared spectroscopy
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
A NOVEL APPROACH TO MEASURING INTERSTITIAL CARBON LEVELS IN SILICON WAFERS UTILISING INFRARED SPECTROSCOPY.pdf

non disponibili

Dimensione 3.71 MB
Formato Adobe PDF
3.71 MB Adobe PDF

I documenti in UNITESI sono protetti da diritto d'autore e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14238/4002